レーザーテック
半導体向けマスク・マスクブランクス欠陥検査装置。EUV品は独占。受注から検収まで1年超
EUV露光とは、波長約13.5ナノメートルの極端紫外線を利用し、半導体ウェーハ上に微細な回路パターンを形成する技術。従来の深紫外線露光より短い波長を用いることで、先端半導体に必要な微細加工を実現しやすくなる。EUV光は多くの物質に吸収されるため、露光装置には真空環境や特殊な反射光学系が必要となり、光源、反射鏡、フォトマスク、フォトレジストなどに極めて高度な技術が求められる。最先端のロジック半導体や高性能メモリーの製造で重要性が高まり、近年はより大きな開口数を持つ高NA EUV露光技術の開発も進んでいる。これにより、さらに微細なパターン形成が期待される一方、露光装置の大型化や高コスト化、材料の欠陥、位置合わせ精度などが課題となる。EUV露光は単独で微細化を実現するものではなく、エッチングや成膜、計測技術と一体となって半導体製造を支える
半導体向けマスク・マスクブランクス欠陥検査装置。EUV品は独占。受注から検収まで1年超
シリコンウエハーで世界トップ級のシェアを持ち、半導体材料や塩ビを手掛ける総合化学メーカー
半導体製造に不可欠なフォトレジストで世界トップ級のシェアを持ち、最先端の微細加工を支える化学材料メーカー
EUV向けフォトレジストなど最先端の半導体材料に強みを持ち、微細化を材料面から支える化学メーカー
建築・自動車用ガラスをはじめ、ディスプレイ基板、半導体材料、フッ素化学品、医薬品の開発・製造受託などを世界で展開
半導体回路を微細に形成する露光装置の世界的大手。EUV・DUV露光技術に加え、計測・検査装置や製造工程最適化ソフトウェアを展開