← #技術タグ

#EUV露光6社

EUV露光とは、波長約13.5ナノメートルの極端紫外線を利用し、半導体ウェーハ上に微細な回路パターンを形成する技術。従来の深紫外線露光より短い波長を用いることで、先端半導体に必要な微細加工を実現しやすくなる。EUV光は多くの物質に吸収されるため、露光装置には真空環境や特殊な反射光学系が必要となり、光源、反射鏡、フォトマスク、フォトレジストなどに極めて高度な技術が求められる。最先端のロジック半導体や高性能メモリーの製造で重要性が高まり、近年はより大きな開口数を持つ高NA EUV露光技術の開発も進んでいる。これにより、さらに微細なパターン形成が期待される一方、露光装置の大型化や高コスト化、材料の欠陥、位置合わせ精度などが課題となる。EUV露光は単独で微細化を実現するものではなく、エッチングや成膜、計測技術と一体となって半導体製造を支える

AGC

日本上場ガラス・化学品・電子材料を世界展開する総合素材メーカー

建築・自動車用ガラスをはじめ、ディスプレイ基板、半導体材料、フッ素化学品、医薬品の開発・製造受託などを世界で展開

ASML

オランダ上場EUV露光装置で先端半導体製造を支える世界的装置メーカー

半導体回路を微細に形成する露光装置の世界的大手。EUV・DUV露光技術に加え、計測・検査装置や製造工程最適化ソフトウェアを展開